Numer produktu producenta:
SIR872ADP-T1-RE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIR872ADP-T1-RE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Szczegółowy opis:
N-Channel 150 V 53.7A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Magazyn:
2916 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13008394
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIR872ADP-T1-RE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Stan części
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
150 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
53.7A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
7.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1286 pF @ 75 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SO-8
Podstawowy numer produktu
SIR872
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SQ2337ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
SQJ148EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
SIHP050N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB
