Numer produktu producenta:
SIHB22N60AE-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIHB22N60AE-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Magazyn:
13008672
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
YGeB
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIHB22N60AE-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tube
Seria
E
Opakowanie
Tube
Stan części
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
20A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1451 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
179W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
SIHB22
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
FCB20N60FTM
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2398
NUMER CZĘŚCI
FCB20N60FTM-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.61
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IPB60R160C6ATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3347
NUMER CZĘŚCI
IPB60R160C6ATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.71
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
STB21N65M5
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1748
NUMER CZĘŚCI
STB21N65M5-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.31
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
R6024ENJTL
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
831
NUMER CZĘŚCI
R6024ENJTL-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.59
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IPB60R180P7ATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2501
NUMER CZĘŚCI
IPB60R180P7ATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.88
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SQD40N06-14L_GE3
MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
SIS456DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
SIA459EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
