Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
SI4890DY-T1-E3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SI4890DY-T1-E3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Magazyn:
2500 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13057717
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SI4890DY-T1-E3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seria
TrenchFET®
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Stan części
Last Time Buy
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
11A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA (Min)
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±25V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Podstawowy numer produktu
SI4890
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
SI4890DY
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SI4890DY-T1-E3TR
SI4890DYT1E3
SI4890DY-T1-E3DKR
SI4890DY-T1-E3CT
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
FDS8878
PRODUCENT
Fairchild Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
570614
NUMER CZĘŚCI
FDS8878-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.20
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
RS3E075ATTB
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
10581
NUMER CZĘŚCI
RS3E075ATTB-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.26
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
FDS6690A
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4652
NUMER CZĘŚCI
FDS6690A-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.24
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
RRU1LAM4STR
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3081
NUMER CZĘŚCI
RRU1LAM4STR-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.11
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
DMN3016LSS-13
PRODUCENT
Diodes Incorporated
ILOŚĆ DOSTĘPNA
14193
NUMER CZĘŚCI
DMN3016LSS-13-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.14
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SI7748DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
SI7439DP-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
SISS12DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
SI7818DN-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8