Numer produktu producenta:
FDS8878
Product Overview
Producent:
Fairchild Semiconductor
Numer części:
FDS8878-DG
Opis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 10.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Magazyn:
570614 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12946932
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDS8878 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Opakowanie
Bulk
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10.2A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
14mOhm @ 10.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
897 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-FDS8878
FAIFSCFDS8878
Pakiet Standard
1,389
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8542.39.0001
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDFMA3P029Z
MOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFET
FDS6298
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
CSD17303Q5
CSD17303Q5 30V, N CHANNEL NEXFET
