Numer produktu producenta:
SI4442DY-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SI4442DY-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 15A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Magazyn:
13060790
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SI4442DY-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Stan części
Last Time Buy
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
15A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
50 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±12V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.6W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Podstawowy numer produktu
SI4442
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IRF7832TRPBF
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
13071
NUMER CZĘŚCI
IRF7832TRPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.57
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
FDS8870
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2621
NUMER CZĘŚCI
FDS8870-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.66
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SQA470EJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70
SUM110N04-05H-E3
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
SQA470EEJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70
