Numer produktu producenta:
SQA470EJ-T1_GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SQA470EJ-T1_GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 2.25A (Tc) 13.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Magazyn:
2988 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13060793
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SQA470EJ-T1_GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Stan części
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.25A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
65mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
440 pF @ 20 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
13.6W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SC-70-6 Single
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SC-70-6
Podstawowy numer produktu
SQA470
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SQA470EJ-T1_GE3CT
742-SQA470EJ-T1_GE3CT
SQA470EJ-T1_GE3TR-ND
SQA470EJ-T1_GE3DKR
SQA470EJ-T1_GE3DKR-ND
SQA470EJ-T1_GE3CT-ND
742-SQA470EJ-T1_GE3DKR
SQA470EJ-T1_GE3TR
742-SQA470EJ-T1_GE3TR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SUM110N04-05H-E3
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
SQA470EEJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70
SUP70090E-GE3
MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
