Numer produktu producenta:
SQM40022EM_GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SQM40022EM_GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 150A TO263-7
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 150A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Magazyn:
12916276
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SQM40022EM_GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
150A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.63mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
9200 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263-7
Pakiet / Walizka
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Podstawowy numer produktu
SQM40022
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SQM40022EM_GE3CT
SQM40022EM_GE3TR
SQM40022EM_GE3DKR
Pakiet Standard
800
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IPB180N04S302ATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2
NUMER CZĘŚCI
IPB180N04S302ATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.37
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIS472DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
SQ3418EV-T1_GE3
MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP
SI7898DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
