Numer produktu producenta:
SIS472DN-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIS472DN-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 20A (Tc) 3.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Magazyn:
17606 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12916281
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIS472DN-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
20A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
8.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
997 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® 1212-8
Podstawowy numer produktu
SIS472
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SIS472DN-T1-GE3DKR
SIS472DN-T1-GE3CT
SIS472DN-T1-GE3TR
SIS472DN-T1-GE3-DG
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SQ3418EV-T1_GE3
MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP
SI7898DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
SI9407BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
