Numer produktu producenta:
SQJ469EP-T1_GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SQJ469EP-T1_GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Szczegółowy opis:
P-Channel 80 V 32A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Magazyn:
8792 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12921065
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SQJ469EP-T1_GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
32A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 10.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5100 pF @ 40 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SO-8
Podstawowy numer produktu
SQJ469
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SQJ469EP-T1-GE3TR
SQJ469EP-T1_GE3TR
SQJ469EP-T1-GE3-DG
SQJ469EP-T1-GE3TR-DG
SQJ469EP-T1_GE3CT
SQJ469EP-T1-GE3CT
SQJ469EP-T1-GE3CT-DG
SQJ469EP-T1-GE3DKR-DG
SQJ469EP-T1_GE3DKR
SQJ469EP-T1-GE3
SQJ469EP-T1-GE3DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SISS26DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
2N7002L
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
SIJ400DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8
