2N7002L
Numer produktu producenta:

2N7002L

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

2N7002L-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Magazyn:

91754 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12921088
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

2N7002L Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
115mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
200mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-3
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Podstawowy numer produktu
2N7002

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
2N7002LCT
2N7002LTR
2N7002LDKR
2156-2N7002L-OS
ONSONS2N7002L
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
vishay-siliconix

SIJ400DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

nexperia

PSMN7R0-100BS,118

MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

onsemi

FDP040N06

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

vishay-siliconix

SIHA240N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 12A TO220