Numer produktu producenta:
SIRA10BDP-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIRA10BDP-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 30A/60A PPAK SO8
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 30A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Magazyn:
12919005
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIRA10BDP-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET® Gen IV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
30A (Ta), 60A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
36.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
+20V, -16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1710 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
5W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SO-8
Podstawowy numer produktu
SIRA10
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SIRA10BDP-T1-GE3CT
SIRA10BDP-T1-GE3TR
SIRA10BDP-T1-GE3DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SI5415AEDU-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
SI5480DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
SIE820DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
