Numer produktu producenta:
SIE820DF-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIE820DF-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S)
Magazyn:
730 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12919014
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIE820DF-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
50A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4300 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
10-PolarPAK® (S)
Pakiet / Walizka
10-PolarPAK® (S)
Podstawowy numer produktu
SIE820
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SIE820DF-T1-GE3CT
SIE820DF-T1-GE3DKR
SIE820DF-T1-GE3TR
SIE820DFT1GE3
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIR412DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
SI4842BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
SIHB6N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
