Numer produktu producenta:
SIHB6N65E-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIHB6N65E-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Magazyn:
12919026
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIHB6N65E-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
820 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
78W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
SIHB6
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SIHB6N65E-GE3CT-DG
SIHB6N65E-GE3TR
SIHB6N65E-GE3CT
SIHB6N65E-GE3TR-DG
SIHB6N65E-GE3TRINACTIVE
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STB11NM60T4
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
622
NUMER CZĘŚCI
STB11NM60T4-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.81
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SI6433BDQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 4A 8TSSOP
SIHW70N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
SI4396DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
