Numer produktu producenta:
SIR516DP-T1-RE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIR516DP-T1-RE3-DG
Opis:
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 16.8A (Ta), 63.7A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Magazyn:
12968163
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIR516DP-T1-RE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
16.8A (Ta), 63.7A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
7.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1920 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
5W (Ta), 71.4W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SO-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SO-8
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
742-SIR516DP-T1-RE3CT
742-SIR516DP-T1-RE3TR
742-SIR516DP-T1-RE3DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
RS6P100BHTB1
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2725
NUMER CZĘŚCI
RS6P100BHTB1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.35
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BUK7E5R2-100E,127
NEXPERIA BUK7E5R2-100E - 120A, 1
SQA410CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)
NTNS4CS69NTCG
NTNS4CS69NTCG - TRENCH 6 30V NFE
