Numer produktu producenta:
ISC080N10NM6ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
ISC080N10NM6ATMA1-DG
Opis:
TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 13A (Ta), 75A (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Magazyn:
1362 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12968173
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
ISC080N10NM6ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™ 6
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
13A (Ta), 75A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
8V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
8.05mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 36µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1800 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TDSON-8 FL
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
ISC080N
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP005409473
448-ISC080N10NM6ATMA1CT
448-ISC080N10NM6ATMA1DKR
448-ISC080N10NM6ATMA1TR
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
ISP20EP10LMXTSA1
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
PMZ950UPEYL
NEXPERIA PMZ950UPE - 20V, P-CHAN
ISP16DP10LMXTSA1
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
