Numer produktu producenta:
SIB455EDK-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
SIB455EDK-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Szczegółowy opis:
P-Channel 12 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Magazyn:
12965912
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIB455EDK-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
-
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
12 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
27mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 8 V
Vgs (maks.)
±10V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SC-75-6
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SC-75-6
Podstawowy numer produktu
SIB455
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SIB455EDK-T1-GE3TR
SIB455EDKT1GE3
SIB455EDK-T1-GE3DKR
SIB455EDK-T1-GE3CT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
SIB441EDK-T1-GE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2930
NUMER CZĘŚCI
SIB441EDK-T1-GE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.12
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SI7469DP-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
SIHP6N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220AB
SUG80050E-GE3
MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
