Numer produktu producenta:
ISZ0602NLSATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
ISZ0602NLSATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 12A (Ta), 64A (Tc) 2.1W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-26
Magazyn:
9859 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12965938
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
ISZ0602NLSATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™ 5
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12A (Ta), 64A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 29µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1860 pF @ 40 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.1W (Ta), 60W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TSDSON-8-26
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
ISZ0602N
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-ISZ0602NLSATMA1TR
SP005430392
448-ISZ0602NLSATMA1DKR
448-ISZ0602NLSATMA1CT
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
ISC0803NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 8.8A/37A 8TDSON
ISZ0804NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSON
ISZ0803NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 7.7A/37A TSDSON
