Numer produktu producenta:
IRFPF40PBF
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
IRFPF40PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 4.7A TO247-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 900 V 4.7A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
Magazyn:
278 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12913382
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRFPF40PBF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
900 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1600 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247AC
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
IRFPF40
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
*IRFPF40PBF
Pakiet Standard
25
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SI3407DV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
SI7108DN-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8
SI7613DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
