SI7108DN-T1-E3
Numer produktu producenta:

SI7108DN-T1-E3

Product Overview

Producent:

Vishay Siliconix

Numer części:

SI7108DN-T1-E3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 14A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Magazyn:

16240 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12913389
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

SI7108DN-T1-E3 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
14A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4.9mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±16V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® 1212-8
Podstawowy numer produktu
SI7108

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
SI7108DN-T1-E3TR
SI7108DN-T1-E3DKR
SI7108DN-T1-E3CT
SI7108DNT1E3
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
vishay-siliconix

SI7613DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8

vishay-siliconix

IRFIB7N50LPBF

MOSFET N-CH 500V 6.8A TO220-3

vishay-siliconix

SI7110DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SI5481DU-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK