Numer produktu producenta:
IRFBC30STRL
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
IRFBC30STRL-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Magazyn:
12907581
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRFBC30STRL Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
660 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IRFBC30
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
800
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IRFBC30STRLPBF
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
52
NUMER CZĘŚCI
IRFBC30STRLPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.29
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXTP62N15P
MOSFET N-CH 150V 62A TO220AB
IXTA4N65X2
MOSFET N-CH 650V 4A TO263
IRF9620
MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
