Numer produktu producenta:
IXFB120N50P2
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFB120N50P2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
Szczegółowy opis:
N-Channel 500 V 120A (Tc) 1890W (Tc) Through Hole PLUS264™
Magazyn:
12907618
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFB120N50P2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
-
Seria
HiPerFET™, PolarHV™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
43mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
19000 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1890W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PLUS264™
Pakiet / Walizka
TO-264-3, TO-264AA
Podstawowy numer produktu
IXFB120
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
-IXFB120N50P2
Pakiet Standard
25
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IXFB132N50P3
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IXFB132N50P3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
15.14
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRFBC30STRLPBF
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRFP23N50L
MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3
IRF610S
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK