Numer produktu producenta:
2N7002-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Numer części:
2N7002-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount TO-236
Magazyn:
6531 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12880498
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
2N7002-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Vishay
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
115mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
200mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-236
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Podstawowy numer produktu
2N7002
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2N7002-T1-GE3TR
2N7002-T1-GE3DKR
2N7002-T1-GE3CT
2N7002-T1-GE3-DG
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STL19N60DM2
MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
STFI10N65K3
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
STD80N3LL
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
