Numer produktu producenta:
IRF620
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
IRF620-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 6A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 6A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220
Magazyn:
12880506
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRF620 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
-
Seria
PowerMESH™ II
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
800mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
70W (Tc)
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
IRF6
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-3135
497-3135-NDR
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STP80N10F7
MOSFET N-CH 100V 80A TO220
BS250PSTOB
MOSFET P-CH 45V 230MA E-LINE
STL36N55M5
MOSFET N-CH 550V 22.5A 4PWRFLAT
