Numer produktu producenta:
TPH3202PD
Product Overview
Producent:
Transphorm
Numer części:
TPH3202PD-DG
Opis:
GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220AB
Magazyn:
13446567
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPH3202PD Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Transphorm
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
350mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±18V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
760 pF @ 480 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
65W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STP15N60M2-EP
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
334
NUMER CZĘŚCI
STP15N60M2-EP-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.76
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
TK10E60W,S1VX
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
30
NUMER CZĘŚCI
TK10E60W,S1VX-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.31
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TPH3206LDB
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
TPH3208LSG
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
TP65H070LSG
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN