Numer produktu producenta:
TPH3206LDB
Product Overview
Producent:
Transphorm
Numer części:
TPH3206LDB-DG
Opis:
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount 4-PQFN (8x8)
Magazyn:
13446579
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPH3206LDB Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Transphorm
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
16A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 500µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±18V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
720 pF @ 480 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
81W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
4-PQFN (8x8)
Pakiet / Walizka
4-PowerDFN
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
60
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TPH3208LSG
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
TP65H070LSG
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
TPH3206LDGB
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
