Numer produktu producenta:
XPN6R706NC,L1XHQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
XPN6R706NC,L1XHQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 40A (Ta) 840mW (Ta), 100W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Magazyn:
29285 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12938222
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
XPN6R706NC,L1XHQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVIII-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
40A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 300µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2000 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
840mW (Ta), 100W (Tc)
Temperatura
175°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
XPN6R706
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-XPN6R706NCL1XHQTR
XPN6R706NC,L1XHQ(O
264-XPN6R706NCL1XHQCT
264-XPN6R706NCL1XHQDKR
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NTH4L020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 102A TO247
XPH3R114MC,L1XHQ
MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP
TK1R4S04PB,LXHQ
MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
