Numer produktu producenta:
XPH3R114MC,L1XHQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
XPH3R114MC,L1XHQ-DG
Opis:
MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP
Szczegółowy opis:
P-Channel 40 V 100A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Magazyn:
9230 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12938226
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
XPH3R114MC,L1XHQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVI
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
+10V, -20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
9500 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura
175°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOP Advance (5x5)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
XPH3R114
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
XPH3R114MC,L1XHQ(O
264-XPH3R114MCL1XHQTR
264-XPH3R114MCL1XHQCT
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK1R4S04PB,LXHQ
MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
AOUS66414
MOSFET N-CH 40V 40A/92A ULTRASO8
RFD15N06LESM
N-CHANNEL POWER MOSFET
