Numer produktu producenta:
TPWR8503NL,L1Q
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPWR8503NL,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 150A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Magazyn:
4927 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890308
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPWR8503NL,L1Q Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVIII-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
150A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
0.85mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6900 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
800mW (Ta), 142W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-DSOP Advance
Pakiet / Walizka
8-PowerWDFN
Podstawowy numer produktu
TPWR8503
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TPWR8503NLL1QTR
TPWR8503NLL1QDKR
TPWR8503NL,L1Q(M
TPWR8503NLL1QCT
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TPC6011(TE85L,F,M)
MOSFET N-CH 30V 6A VS-6
2SJ377(TE16R1,NQ)
MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
TK4P60DB(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK