Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
TPC6011(TE85L,F,M)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPC6011(TE85L,F,M)-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 6A VS-6
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12890311
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPC6011(TE85L,F,M) Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
U-MOSIV
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
20mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
640 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
700mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
VS-6 (2.9x2.8)
Pakiet / Walizka
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Podstawowy numer produktu
TPC6011
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TPC6011TE85LFM
TPC6011(TE85LFM)
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
SSM6K504NU,LF
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3556
NUMER CZĘŚCI
SSM6K504NU,LF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.07
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
DMN3026LVT-7
PRODUCENT
Diodes Incorporated
ILOŚĆ DOSTĘPNA
8316
NUMER CZĘŚCI
DMN3026LVT-7-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.08
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
SQ3410EV-T1_GE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
SQ3410EV-T1_GE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.22
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IRFTS8342TRPBF
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
16344
NUMER CZĘŚCI
IRFTS8342TRPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.15
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IRLTS6342TRPBF
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
10104
NUMER CZĘŚCI
IRLTS6342TRPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.13
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
2SJ377(TE16R1,NQ)
MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
TK4P60DB(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK
2SK2883(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM
TK31E60X,S1X
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220