Numer produktu producenta:
TK31E60X,S1X
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK31E60X,S1X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-220
Magazyn:
50 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890323
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK31E60X,S1X Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
DTMOSIV-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
88mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.5mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3000 pF @ 300 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
230W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
TK31E60
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK31E60XS1X
TK31E60X,S1X(S
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK7J90E,S1E
MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
TPCA8065-H,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
DMN3016LFDE-7
MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
