Numer produktu producenta:
TPN4R806PL,L1Q
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPN4R806PL,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 72A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Magazyn:
13199 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12920893
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPN4R806PL,L1Q Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSIX-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
72A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 300µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2770 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
630mW (Ta), 104W (Tc)
Temperatura
175°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
TPN4R806
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-TPN4R806PLL1QTR
264-TPN4R806PLL1QCT
264-TPN4R806PLL1QDKR
TPN4R806PL,L1Q(M
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK110P10PL,RQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK3R3A06PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK16J60W5,S1VQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR