Numer produktu producenta:
TK16J60W5,S1VQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK16J60W5,S1VQ-DG
Opis:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Magazyn:
21 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12920898
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK16J60W5,S1VQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
15.8A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
230mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 790µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1350 pF @ 300 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
130W (Tc)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-3P(N)
Pakiet / Walizka
TO-3P-3, SC-65-3
Podstawowy numer produktu
TK16J60
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK16J60W5,S1VQ(O
264-TK16J60W5S1VQ
Pakiet Standard
25
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK17A65W5,S5X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TPH1500CNH,L1Q
MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
TK1K0A60F,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
