Numer produktu producenta:
TPH8R80ANH,L1Q
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPH8R80ANH,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 32A (Tc) 1.6W (Ta), 61W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Magazyn:
29574 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890442
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPH8R80ANH,L1Q Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVIII-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
32A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2800 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.6W (Ta), 61W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOP Advance (5x5)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
TPH8R80
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TPH8R80ANHL1QCT
TPH8R80ANH,L1Q(M
TPH8R80ANHL1Q
TPH8R80ANHL1QDKR
TPH8R80ANHL1QTR
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM3K16CT(TPL3)
MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
TPCP8003-H(TE85L,F
MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8
TPCC8002-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
