Numer produktu producenta:
TPC8115(TE12L,Q,M)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPC8115(TE12L,Q,M)-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Magazyn:
12890452
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPC8115(TE12L,Q,M) Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
U-MOSIV
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.8V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
10mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 200µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
115 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
9130 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOP (5.5x6.0)
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Podstawowy numer produktu
TPC8115
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TPH3R203NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
SSM6J507NU,LF
MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
TK7A55D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 7A TO220SIS
