Numer produktu producenta:
TPH1110ENH,L1Q
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPH1110ENH,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 7.2A (Ta) 1.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Magazyn:
12890764
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPH1110ENH,L1Q Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVIII-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7.2A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
114mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
600 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.6W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOP Advance (5x5)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
TPH1110
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TPH1110ENH,L1Q(M
TPH1110ENHL1QCT
TPH1110ENHL1QDKR
TPH1110ENHL1QTR
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM3J133TU,LF
MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
TK16E60W,S1VX
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
TK100S04N1L,LQ
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
