Numer produktu producenta:
TPCF8B01(TE85L,F,M
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPCF8B01(TE85L,F,M-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 2.7A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
Magazyn:
12890298
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPCF8B01(TE85L,F,M Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
U-MOSIII
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.8V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
110mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 200µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
6 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
470 pF @ 10 V
Funkcja FET
Schottky Diode (Isolated)
Rozpraszanie mocy (maks.)
330mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
VS-8 (2.9x1.5)
Pakiet / Walizka
8-SMD, Flat Lead
Podstawowy numer produktu
TPCF8B01
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TPCF8B01(TE85LFMDRK
TPCF8B01FDKR-DG
TPCF8B01(TE85L,F,M-DG
TPCF8B01FDKR
TPCF8B01(TE85LFMCT
TPCF8B01(TE85L,F)
TPCF8B01FTR
TPCF8B01(TE85LFMDRK-DG
TPCF8B01(TE85LFMDKR
TPCF8B01TE85LFM
TPCF8B01(TE85L,F,MINACTIVE
TPCF8B01(TE85LFMTR
TPCF8B01(TE85L,F)-DG
TPCF8B01FCT
TPCF8B01FTR-DG
TPCF8B01FCT-DG
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TPCA8A04-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 30V 44A 8SOP
TK5A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220SIS
TK35N65W,S1F
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
