Numer produktu producenta:
TK60E08K3,S1X(S
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK60E08K3,S1X(S-DG
Opis:
MOSFET N-CH 75V 60A TO220-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 75 V 60A 128W Through Hole TO-220-3
Magazyn:
12890933
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK60E08K3,S1X(S Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
75 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
60A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
128W
Temperatura
-
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
TK60E08
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK60E08K3S1X(S
TK60E08K3S1XS
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
TK46E08N1,S1X
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
23
NUMER CZĘŚCI
TK46E08N1,S1X-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.42
Rodzaj zastąpienia
Direct
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK3A60DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
TK72E12N1,S1X
MOSFET N CH 120V 72A TO-220
TPCC8093,L1Q
MOSFET N-CH 20V 21A 8TSON
