Numer produktu producenta:
TK46E08N1,S1X
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK46E08N1,S1X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 80A TO220
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-220
Magazyn:
23 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890796
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK46E08N1,S1X Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
U-MOSVIII-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2500 pF @ 40 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
103W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
TK46E08
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK46E08N1S1X
TK46E08N1,S1X(S
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STP100N10F7
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
88
NUMER CZĘŚCI
STP100N10F7-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.11
Rodzaj zastąpienia
Direct
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TPH4R003NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
SSM3J15FU,LF
MOSFET P-CH 30V 100MA USM
TK12Q60W,S1VQ
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
