Numer produktu producenta:
TK12Q60W,S1VQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK12Q60W,S1VQ-DG
Opis:
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 11.5A (Ta) 100W (Tc) Through Hole I-Pak
Magazyn:
65 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890805
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK12Q60W,S1VQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
DTMOSIV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
340mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 600µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
890 pF @ 300 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
100W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
I-PAK
Pakiet / Walizka
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Podstawowy numer produktu
TK12Q60
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK12Q60WS1VQ
Pakiet Standard
75
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK10A80E,S4X
MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
TPW4R50ANH,L1Q
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
2SK2989,T6F(J
MOSFET N-CH TO92MOD
