Numer produktu producenta:
TK42A12N1,S4X
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK42A12N1,S4X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 120V 42A TO220SIS
Szczegółowy opis:
N-Channel 120 V 42A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Magazyn:
250 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12891201
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK42A12N1,S4X Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
U-MOSVIII-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
120 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
42A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
9.4mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3100 pF @ 60 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
35W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220SIS
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
TK42A12
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK42A12N1S4X
TK42A12N1,S4X(S
TK42A12N1,S4X-DG
Q10136417
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM6J213FE(TE85L,F
MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
TPN11003NL,LQ
MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
SSM6J214FE(TE85L,F
MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
