Numer produktu producenta:
SSM6J214FE(TE85L,F
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM6J214FE(TE85L,F-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
Szczegółowy opis:
P-Channel 30 V 3.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Magazyn:
19745 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12891207
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM6J214FE(TE85L,F Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVI
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.8V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
50mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
7.9 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
560 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
500mW (Ta)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
ES6
Pakiet / Walizka
SOT-563, SOT-666
Podstawowy numer produktu
SSM6J214
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SSM6J214FE(TE85LFDKR
SSM6J214FE(TE85LFTR
SSM3K17FULF
SSM6J214FE(TE85LFCT
SSM3K17FULF(B
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TPC8032-H(TE12LQM)
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP
TK18A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS
TPC8A05-H(TE12L,QM
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP