Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
TK39N60W,S1VF
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK39N60W,S1VF-DG
Opis:
MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
Magazyn:
6 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12891305
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK39N60W,S1VF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
DTMOSIV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
38.8A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
65mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 1.9mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4100 pF @ 300 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
270W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
TK39N60
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
TK39N60W
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK39N60WS1VF
TK39N60W,S1VF(S
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
FCH067N65S3-F155
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
900
NUMER CZĘŚCI
FCH067N65S3-F155-DG
CENA JEDNOSTKOWA
5.11
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IXTH48N65X2
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
272
NUMER CZĘŚCI
IXTH48N65X2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
5.48
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IPW65R048CFDAFKSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
80
NUMER CZĘŚCI
IPW65R048CFDAFKSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
7.59
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
2SK2962,T6WNLF(M
MOSFET N-CH TO92MOD
TPC8111(TE12L,Q,M)
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
SSM3J15FV,L3F
MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
TK7A90E,S4X
MOSFET N-CH 900V 7A TO220SIS