Numer produktu producenta:
SSM3J15FV,L3F
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM3J15FV,L3F-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Szczegółowy opis:
P-Channel 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Magazyn:
46790 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12891319
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM3J15FV,L3F Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
π-MOSVI
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 4V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.7V @ 100µA
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
9.1 pF @ 3 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
150mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
VESM
Pakiet / Walizka
SOT-723
Podstawowy numer produktu
SSM3J15
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SSM3J15FV,L3F(B
SSM3J15FV,L3F(T
SSM3J15FVL3FTR
SSM3J15FVL3FCT
SSM3J15FVL3FDKR
Pakiet Standard
8,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK7A90E,S4X
MOSFET N-CH 900V 7A TO220SIS
TK7E80W,S1X
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
TK11A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 11A TO220SIS
