Numer produktu producenta:
SSM6J771G,LF
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM6J771G,LF-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 5A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount
Magazyn:
12891336
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM6J771G,LF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVI
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 8.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
31mOhm @ 3A, 8.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
9.8 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
870 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.2W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
6-UFBGA, WLCSP
Podstawowy numer produktu
SSM6J771
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SSM6J771G,LF(S
SSM6J771GLFDKR
SSM6J771GLFCT
SSM6J771GLFTR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK65S04N1L,LQ
MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
2SK3342(TE16L1,NQ)
MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD
DMN24H11DSQ-13
MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
