Numer produktu producenta:
TK20C60W,S1VQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK20C60W,S1VQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 165W (Tc) Through Hole I2PAK
Magazyn:
12889253
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK20C60W,S1VQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
DTMOSIV
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
20A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
155mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1680 pF @ 300 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
165W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
I2PAK
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Podstawowy numer produktu
TK20C60
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK20C60W,S1VQ(S
TK20C60WS1VQ
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STI33N65M2
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
9000
NUMER CZĘŚCI
STI33N65M2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.70
Rodzaj zastąpienia
Direct
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK8A55DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS
SSM6J206FE(TE85L,F
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
TK40P04M1(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 40V 40A DP
