Numer produktu producenta:
SSM3J09FU,LF
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM3J09FU,LF-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 200MA USM
Szczegółowy opis:
P-Channel 30 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount USM
Magazyn:
6123 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889261
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM3J09FU,LF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
3.3V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.7Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 100µA
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
22 pF @ 5 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
150mW (Ta)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
USM
Pakiet / Walizka
SC-70, SOT-323
Podstawowy numer produktu
SSM3J09
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SSM3J09FU,LF(B
SSM3J09FULFCT
SSM3J09FULFDKR
SSM3J09FULFTR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK7S10N1Z,LQ
MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
TK20A60W5,S5VX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
DMN3025LFV-7
MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
