Numer produktu producenta:
TK20A25D,S5Q(M
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK20A25D,S5Q(M-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 20A TO220SIS
Szczegółowy opis:
N-Channel 250 V 20A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Magazyn:
12889366
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK20A25D,S5Q(M Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
π-MOSVII
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
250 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
20A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2550 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
45W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220SIS
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
TK20A25
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK20A25D(Q)
TK20A25D(Q)-DG
TK20A25DQ
TK20A25DS5Q(M
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM3K376R,LF
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F
TK25A60X5,S5X
MOSFET N-CH 600V 25A TO220SIS
TK3R1E04PL,S1X
MOSFET N-CH 40V 100A TO220