Numer produktu producenta:
TK3R1E04PL,S1X
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK3R1E04PL,S1X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 100A TO220
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220
Magazyn:
63 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889374
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK3R1E04PL,S1X Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
U-MOSIX-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 500µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
63.4 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4670 pF @ 20 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
87W (Tc)
Temperatura
175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
TK3R1E04
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK3R1E04PL,S1X(S
TK3R1E04PLS1X
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK25A60X,S5X
MOSFET N-CH 600V 25A TO220SIS
SSM3J118TU(TE85L)
MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
