Numer produktu producenta:
TK14E65W5,S1X
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK14E65W5,S1X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Magazyn:
15 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12891028
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
bnCW
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK14E65W5,S1X Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
DTMOSIV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
300mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 690µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1300 pF @ 300 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
130W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
TK14E65
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK14E65W5S1X
TK14E65W5,S1X(S
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
TK14N65W5,S1F
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
30
NUMER CZĘŚCI
TK14N65W5,S1F-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.82
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TPCA8010-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 200V 5.5A 8SOP
TK8A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 7.8A TO220SIS
PHP23NQ11T,127
MOSFET N-CH 110V 23A TO220AB
