Numer produktu producenta:
TK14N65W5,S1F
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK14N65W5,S1F-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-247
Magazyn:
30 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12891279
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK14N65W5,S1F Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
DTMOSIV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
300mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 690µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1300 pF @ 300 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
130W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
TK14N65
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK14N65W5,S1F(S
TK14N65W5S1F
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TPCC8002-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
SSM5N16FUTE85LF
MOSFET N-CH 20V 100MA USV
SSM6J50TU,LF
MOSFET P-CH 20V 2.5A UF6